成都紫光半导体申请接合晶圆方法和得到半导体元件专利，避免绝缘层中形成空穴
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2025-06-13 13:15:06
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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“接合晶圆的方法和得到的半导体元件”的专利，公开号CN120149173A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开涉及接合晶圆的方法和得到的半导体元件，该方法包括以下步骤：S1、在第一晶圆的表面形成第一吸水层，在第二晶圆的表面形成第二吸水层；S2、在所述第一吸水层的表面形成第一绝缘层，在所述第二吸水层的表面形成第二绝缘层；S3、将所述第一绝缘层与所述第二绝缘层接合；所述第一吸水层和所述第二吸水层中含有吸水材料。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息44条。
来源：金融界
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