武汉新芯申请垂直电荷转移成像器件及其制造方法专利，有助于增大像素的满阱电荷_电子应用

武汉新芯申请垂直电荷转移成像器件及其制造方法专利，有助于增大像素的满阱电荷

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2025-06-21 12:08:50

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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“垂直电荷转移成像器件及其制造方法”的专利，公开号CN120187128A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种垂直电荷转移成像器件及其制造方法。所述垂直电荷转移成像器件中，栅介质层至少位于浮栅与下方像素区的电荷读取区之间，所述像素区的至少部分感光区未被栅介质层覆盖而暴露，所述浮栅接触被暴露的感光区表面以与所述感光区的衬底电连接，相较于浮栅与感光区的衬底之间被栅介质层隔离而形成电容的情况，本发明使所述浮栅与所述感光区的衬底电连接从而等电位，控制栅与所述感光区的衬底之间不再具有浮栅与感光区的衬底之间的电容，有助于增大控制栅与所述感光区的衬底之间的总电容即栅衬电容的电容值，进而有助于增大像素的满阱电荷，提高图像信噪比以及图像质量。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目211次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息1760条，此外企业还拥有行政许可105个。

来源：金融界

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