群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利，本发明公开一种半导体晶片与半导体装置
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2025-06-23 20:38:04
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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，群创光电股份有限公司申请一项名为“半导体晶片与半导体装置”的专利，公开号CN120187183A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体晶片与半导体装置，半导体晶片包括一第一半导体晶粒、一第二半导体晶粒、一填充层、一透明导电层、以及一反射层。所述第二半导体晶粒设置在所述第一半导体晶粒上且电连接到所述第一半导体晶粒。所述填充层围绕所述第一半导体晶粒的一侧壁与所述第二半导体晶粒的一侧壁。所述透明导电层设置在所述第二半导体晶粒和所述填充层上且电连接到所述第二半导体晶粒。所述反射层设置在所述填充层的一侧壁上。
来源：金融界
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