恩智浦申请局部散热的FinFET及其制造方法专利，实现优化半导体装置散热
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2025-05-16 15:33:47
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，恩智浦有限公司申请一项名为“局部散热的FinFET及其制造方法”的专利，公开号CN119997553A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，一个例子公开了一种FinFET半导体装置，并且公开了对应的制造方法，所述装置包括：衬底，所述衬底中具有主体区域，多个细长鳍片，其在第一主表面处且在所述主体区域内；氧化物层，其在所述第一主表面上并且部分地包围所述细长鳍片的下部部分；栅极接触件，其跨越所述多个细长鳍片的上部部分延伸并且部分地包围所述上部部分；电介质材料，其在鳍片与栅极区域之间；多个细长部分鳍片，其平行于所述多个细长鳍片并且高度小于所述多个细长鳍片的高度；细长金属接触件，其延伸到所述衬底中并与所述部分鳍片电接触，并且形成主体接触件；其中所述细长金属接触件在所述细长部分鳍片中的两个细长部分鳍片之间和两个细长部分鳍片的上表面下方延伸，并且填充两个细长部分鳍片之间的空间。
来源：金融界
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