格科半导体申请半导体器件的形成方法专利，改善基底上的残留缺陷问题
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2025-05-16 15:33:48
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金融界 2025 年 5 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利，公开号 CN119993835A，申请日期为 2023 年 11 月。
专利摘要显示，一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上形成有金属硬掩膜层；在所述金属硬掩膜层上形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对所述金属硬掩膜层进行等离子体刻蚀，以暴露出所述基底；采用等离子表面处理工艺，对所述光刻胶层和暴露出的基底进行等离子体轰击，以得到轰击后的光刻胶层和轰击后的基底；去除所述轰击后的光刻胶层并对所述轰击后的基底进行刻蚀。本发明可以改善基底上的残留缺陷问题，提高基底刻蚀的刻蚀效果。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息79条，此外企业还拥有行政许可86个。
来源：金融界
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