长鑫科技申请半导体结构的制造方法及半导体结构专利，有利于提高半导体结构的电学性能
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2025-06-28 17:09:18
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法及半导体结构”的专利，公开号CN120224681A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，半导体结构的制造方法包括：在基底上形成包括交替设置的第一介质层和第二介质层的叠层结构；形成沿竖直方向贯穿叠层结构的电容孔、第一通孔及隔离沟槽；第一通孔包括位于第一介质层中的第一子通孔和位于第二介质层中的第二子通孔，第一子通孔的孔径大于第二子通孔的孔径；于第一子通孔内壁形成牺牲层，牺牲层被位于第一通孔两侧的隔离沟槽以及电容孔露出；在第一通孔内依次形成初始半导体层及字线结构，初始半导体层覆盖牺牲层表面以及第二子通孔内壁；去除牺牲层以及覆盖牺牲层表面的初始半导体层，剩余初始半导体层作为半导体层。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息431条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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