中微半导体申请隔磁隔热结构及MOCVD设备专利，减小喷嘴的温度
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2025-07-02 12:09:58
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“隔磁隔热结构及MOCVD设备”的专利，公开号CN120231025A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种隔磁隔热结构及MOCVD设备，MOCVD设备包括：感应线圈，用于进行电磁感应加热；喷嘴，用于通入反应气体；隔磁隔热结构设置于感应线圈与喷嘴之间，以阻隔感应线圈对喷嘴的电磁加热，其中，所述隔磁隔热结构包括：隔磁板，设置于感应线圈与喷嘴之间，用于阻隔感应线圈产生的对喷嘴加热的磁力线；以及隔热板，隔热板设置于喷嘴和隔磁板之间，用于阻隔隔磁板对喷嘴的热辐射。本发明提供的隔磁隔热结构可以减小喷嘴的温度，以提高喷嘴的使用寿命。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目66次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1493条，此外企业还拥有行政许可72个。
来源：金融界
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