桑迪士克申请具有位于存储器阵列区域中的层接触通孔结构的三维存储器设备及其形成方法专利，一种三维存储器设备包括绝缘层和导电层的交替堆叠_电子应用

桑迪士克申请具有位于存储器阵列区域中的层接触通孔结构的三维存储器设备及其形成方法专利，一种三维存储器设备包括绝缘层和导电层的交替堆叠

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2025-07-23 10:38:54

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金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有位于存储器阵列区域中的层接触通孔结构的三维存储器设备及其形成方法”的专利，公开号CN120359820A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种三维存储器设备包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；竖直延伸穿过该交替堆叠的存储器开口的阵列；在平面图中位于存储器开口的该阵列中的无存储器开口区域；位于存储器开口的该阵列中的存储器开口填充结构的阵列；和在该平面图中位于这些无存储器开口区域内的层接触组件。这些存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括位于这些导电层的层级处的相应竖直半导体沟道和相应存储器元件。这些层接触组件中的每个层接触组件包括接触这些导电层中的相应导电层的相应层接触通孔结构，和侧向环绕该相应层接触通孔结构的相应绝缘间隔件。

来源：金融界

阵列三维导电设备存储器桑迪士克通孔绝缘层包括结构三维存储器导电层

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