长鑫科技申请半导体结构及其制备方法、电子设备专利，可使得晶体管的阈值电压稳定
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2025-07-23 14:38:30
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金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN120358735A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法、电子设备，该半导体结构包括：多个有源柱，多个有源柱在第一方向和第二方向上呈阵列分布；其中，有源柱的延伸方向与第一方向和第二方向均垂直，第一方向和第二方向相交；多条字线，每条字线沿第一方向延伸且各条字线在第二方向上间隔排布；字线包括沿第一方向交替设置的多个栅极和多个连接结构；其中，栅极包覆有源柱的沟道的侧壁；连接结构与相邻的两个栅极连接；栅极和有源柱在第二方向上的最大尺寸之和大于连接结构在第二方向上的尺寸；栅极在有源柱沿第二方向相对的两侧的厚度基本相同。半导体结构可使得晶体管的阈值电压稳定，有利于降低功耗。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息460条，此外企业还拥有行政许可34个。
来源：金融界
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