美思先端申请MEMS湿法刻蚀加工方法及MEMS传感器专利，提高产品良率
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2025-07-25 11:40:01
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金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市美思先端电子有限公司申请一项名为“一种MEMS湿法刻蚀加工方法及MEMS传感器”的专利，公开号CN120364646A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明公开了一种MEMS湿法刻蚀加工方法及MEMS传感器，该加工方法包括在晶圆表面的介电层上方沉积保护材料层；在起始刻蚀位置对保护材料层及介电层进行刻蚀，使介电层下方的硅衬底暴露；对暴露的硅衬底进行KOH或TMAH湿法刻蚀，以在介电层下方刻蚀形成预设深度的中空腔体后清洗晶圆；使用干法刻蚀工艺对晶圆表面进行整面刻蚀以去除保护材料层，整面刻蚀的深度与保护材料层的厚度相等。上述湿法刻蚀加工方法通过沉积保护材料层，在起始位置刻蚀以暴露硅衬底之后再刻蚀硅衬底形成内部腔体，避免形成中空腔体后加工工艺对中空腔体上方的薄膜结构造成损坏，通过减少对已形成薄膜的晶圆进行操作，提高产品良率并保证器件功能完备。

天眼查资料显示，深圳市美思先端电子有限公司，成立于2015年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1227.272727万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市美思先端电子有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可24个。

来源：金融界

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