南亚科技申请半导体存储器装置制造方法专利，能精确控制介电层蚀刻的主蚀刻/补充蚀刻
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2025-08-23 00:36:23
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金融界2025年8月22日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体存储器装置制造方法”的专利，公开号CN120527299A，申请日期为2024年05月。

专利摘要显示，半导体存储器装置制造方法包括以下步骤。位元线结构形成在基板的存储器阵列区域中。在基板的周边区域中形成栅极结构。在位元线结构和栅极结构上方形成介电层。在介电层上方形成下硬罩幕层。在下硬罩幕层上方形成蚀刻工艺诊断信号层。在蚀刻工艺诊断信号层上方形成上部硬罩幕层。执行主蚀刻步骤以形成朝向位元线结构的第一通孔和朝向栅极结构的第二通孔，直到移除上硬罩幕层以暴露蚀刻工艺诊断信号层。

来源：金融界

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