蜀郡微电子申请 MOS 型反熔丝烧录方法专利，有效改善 MOS 型反熔丝击穿电阻一致性较差的问题
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2025-05-20 14:03:53
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金融界 2025 年 5 月 20 日消息，国家知识产权局信息显示，成都蜀郡微电子有限公司申请一项名为“MOS 型反熔丝烧录方法”的专利，公开号 CN120015096A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，MOS 型反熔丝烧录方法，涉及集成电路技术领域。本发明包括下述步骤：a、通过栅氧的两个编程端，对栅氧施加电压值逐渐增大的斜坡电压，同时监测击穿电流，当击穿电流达到预设值后停止施加斜坡电压；b、采用恒流模式，通过两个编程端对栅氧施加预定的激励电流值，同时监测两个编程端之间的电压，当两个编程端之间的电压稳定后，逐渐降低激励电流直至激励电流为 0。本发明能够有效改善 MOS 型反熔丝击穿电阻一致性较差的问题。具有十分重要的工程价值。
天眼查资料显示，成都蜀郡微电子有限公司，成立于2013年，位于成都市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1620.3704万人民币。通过天眼查大数据分析，成都蜀郡微电子有限公司参与招投标项目36次，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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