紫光半导体申请强化氮化钽薄膜的方法专利，提升氮化钽层阻挡离子的效果
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2025-05-20 15:07:13
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“一种强化氮化钽薄膜的方法”的专利，公开号CN120015609A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本公开涉及一种强化氮化钽薄膜的方法，该方法包括：采用原子层沉积方法在过渡层上方形成氮化钽薄膜，而后通过物理气相沉积对氮化钽薄膜进行致密处理形成致密氮化钽层，能够使氮化钽层，尤其是氮化钽层上表面的致密性提升，不仅能够提升氮化钽层阻挡离子的效果，还能够提升氮化钽层的抗刻蚀性，进而能够提升产品的WAT参数、良品率以及可靠性。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息19条。
来源：金融界
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