安徽格恩半导体申请一种半导体激光器专利，增强激光器HBM人体模式ESD
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2025-05-21 01:03:21
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种半导体激光器”的专利，公开号CN120016287A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间具有轨道杂化层，所述轨道杂化层包括第一轨道杂化层、第二轨道杂化层和第三轨道杂化层。本发明所述轨道杂化层的特定共价键能分布和介电常数分布增强能带杂化，增强垂直方向上的Pz轨道杂化以及实空间的交叠，调控界面导电性和双重能带反转，增强沿基面的电子与空穴传输路径，增强空穴离化率和空穴载流子浓度，提升空穴扩展能力，提升外延结构电容值，增强激光器HBM人体模式ESD。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息477条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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