华南微电子申请一种半导体器件及其制造方法专利，实现沟槽MOS器件导通能力与短路能力的平衡优化_电子应用

华南微电子申请一种半导体器件及其制造方法专利，实现沟槽MOS器件导通能力与短路能力的平衡优化

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2025-11-27 11:21:21

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国家知识产权局信息显示，深圳市华南微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN 121013372 A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体领域，该半导体器件包括：衬底；外延层，位于所述衬底上；第一PN结与第二PN结，所述第二PN结的上表面与所述第一PN结的N型区下表面在相同水平面上，所述第二PN结的P型区注入能量大于所述第一PN结的P型区注入能量；第一多晶硅栅极与第二多晶硅栅极，所述第一多晶硅栅极穿过所述第二PN结，所述第二多晶硅栅极穿过所述第一PN结；重掺杂P区，分别围绕在所述第一PN结与所述第二PN结的四周；复合接触结构，分别与所述第一PN结、所述第二PN结、所述重掺杂P区连接。解决了沟槽MOS器件导通能力与短路能力相互制约的问题，通过局部调节PN结注入参数实现两者的平衡优化的效果。

天眼查资料显示，深圳市华南微电子有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1075.2688万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市华南微电子有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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