中科无线半导体申请氮化镓功率器件及其制备方法专利，提升了器件的击穿电压和可靠性_电子应用

中科无线半导体申请氮化镓功率器件及其制备方法专利，提升了器件的击穿电压和可靠性

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2025-12-02 09:06:19

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国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN121038322A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述氮化镓功率器件包括衬底、缓冲层、GaN通道层、AlGaN势垒层、绝缘介质层、源极、漏极和栅极，在AlGaN势垒层上开设有U型凹槽，且铺设绝缘介质层后，该U型凹槽的底部圆弧半径经过优化设计，其值取几何约束条件和电场均匀性约束条件所确定的半径值中的较大者。所述制备方法采用一种场耦合自适应梯度法对刻蚀过程进行迭代优化，通过实时检测刻蚀表面的损伤与粗糙度作为反馈，动态调整刻蚀参数，从而精确地形成所述优化设计的U型凹槽。本发明通过结构优化与制备工艺的协同创新，有效抑制了栅极区域的电场尖峰，提升了器件的击穿电压和可靠性，同时保证了器件制备的高精度和一致性。

天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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