长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储器及存储器系统专利，第一绝缘结构的介电常数小于或等于3.5_电子应用

长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储器及存储器系统专利，第一绝缘结构的介电常数小于或等于3.5

创始人

2025-12-02 12:11:04

0次

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统”的专利，公开号CN121038268A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统。该半导体结构包括：第一半导体柱，沿第一方向延伸；第二半导体柱，沿第一方向延伸，其中，第一半导体柱和第二半导体柱沿第二方向排布；第一栅极层，位于第一半导体柱的一侧；第二栅极层，位于第二半导体层的一侧；以及第一绝缘结构，位于第一栅极层和第二栅极层之间；其中，第一绝缘结构的介电常数小于或等于3.5，第一方向和所述第二方向彼此相交。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1438次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造显示栅极投资绝缘存储导体结构专利半导体存储器极层半导体柱

上一篇：S26系列或涨价三星半导体拒绝长期供货自家手机

下一篇：航空工业光电所携低空经济创新成果助力洛阳航空装备产业发展

长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储器及存储器系统专利，第一绝缘结构的介电常数小于或等于3.5

相关内容

热门资讯