国家知识产权局信息显示,荣芯半导体(宁波)有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利,公开号CN121335107A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,一种半导体器件及其制造方法,该方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有层间介电层,所述层间介电层中形成有底部电极;在所述层间介电层及所述底部电极上依次形成刻蚀停止层和牺牲层;图案化所述牺牲层和所述刻蚀停止层,以形成暴露所述底部电极的通孔;形成填充所述通孔并覆盖所述牺牲层的金属层;以所述刻蚀停止层的上表面为抛光终点执行化学机械抛光工艺,以去除所述牺牲层和位于所述刻蚀停止层上方的所述金属层,保留位于所述刻蚀停止层中的金属层以构成加热电极。该制造方法能够准确控制化学机械抛光工艺的终点,从而控制加热电极的厚度。
天眼查资料显示,荣芯半导体(宁波)有限公司,成立于2021年,位于宁波市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析,荣芯半导体(宁波)有限公司共对外投资了6家企业,财产线索方面有商标信息15条,专利信息91条。
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来源:市场资讯