北方集成电路创新中心申请具有刻蚀侧壁导电层结构电容器专利，在减小电容单元面积的同时有效提升器件的储存电荷能力和耐压水平
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2026-01-17 19:08:23
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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司和清华大学申请一项名为“电容器结构及其制备方法”的专利，公开号CN121357907A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请公开了一种电容器结构及电容器结构的制备方法。该电容器结构包括：基底；第1至第m个导电层，沿着远离所述基底的方向堆叠设置，相邻的两个所述导电层之间设有介质层；m为大于或等于3的整数；其中，对于第n导电层和第(n+1)导电层，n≥1，(n+1)≤m，所述第n导电层设有刻蚀侧壁，所述第(n+1)导电层覆盖所述第n导电层的所述刻蚀侧壁；所述刻蚀侧壁包括斜坡，和/或，所述刻蚀侧壁与所述第n导电层的上表面平滑过渡连接。
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