国博电子取得优化版图设计IPD电容专利，可有效阻隔银离子电位迁移_电子应用

国博电子取得优化版图设计IPD电容专利，可有效阻隔银离子电位迁移

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2026-01-17 22:07:39

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国家知识产权局信息显示，南京国博电子股份有限公司取得一项名为“一种优化版图设计的IPD电容”的专利，授权公告号CN223810088U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本实用新型涉及一种优化版图设计的IPD电容，包括PAD、电容作用区、等电位环、接地区和划片道。划片道和等电位环均为闭合的轮廓线，等电位环设置于划片道内；等电位环内侧设置至少一个接地区，接地区内设置有一个接地孔。PAD和电容作用区设置于等电位环内。电容作用区包括长条形的容值实现区和延伸部；延伸部设置于沿容值实现区远离PAD一侧的侧边；延伸部设置有沿容值实现区长度方向布置的过孔。通过在IPD电容的划片道内侧设置一圈等电位环并接地，可在电容加电时有效阻隔银离子的电位迁移。容值实现区侧边设置延伸部，并在延伸部设置过孔接地，可在过孔受到应力发生形变时，仅影响非容值实现区，减小对电容容值的影响，规避介质崩裂的可靠性风险。

天眼查资料显示，南京国博电子股份有限公司，成立于2000年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本59601.49万人民币。通过天眼查大数据分析，南京国博电子股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目482次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息167条，此外企业还拥有行政许可36个。

南京国微电子有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，南京国微电子有限公司财产线索方面有商标信息5条，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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