中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，提高半导体结构的性能
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2025-05-24 16:09:03
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120035143A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，所述基底的顶部形成有悬浮栅层，所述悬浮栅层的顶部凸立有控制栅层；在所述控制栅层的侧壁形成第一侧墙层；形成所述第一侧墙层之后，在所述基底的顶部形成覆盖所述第一侧墙层侧壁的第二侧墙层；以所述第一侧墙层和第二侧墙层为掩膜，对所述悬浮栅层进行图形化处理，去除所述控制栅层侧部的悬浮栅层。第一侧墙层和第二侧墙层的侧壁均较为平滑，降低了第一侧墙层呈L型的概率，能够使图形化后的悬浮栅层的侧壁的形貌也较为平整光滑，降低了悬浮栅层的侧壁出现凹凸不平的概率，从而提高了半导体结构的性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
来源：金融界
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