紫光半导体申请CMOS器件隔离结构及其制备方法和应用专利，改善CMOS器件间漏电的情况
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2025-05-24 16:09:11
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“一种CMOS器件隔离结构及其制备方法和应用”的专利，公开号CN120035243A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种CMOS器件隔离结构，该CMOS器件隔离结构包括半导体衬底以及形成于所述半导体衬底内的多个STI隔离区，所述半导体衬底内还设置有覆盖相邻两个所述STI隔离区底部的隔离层。本发明还公开了上述CMOS器件隔离结构的制备方法和应用。本发明通过利用氧离子注入在半导体衬底中形成硅氧化层作为隔离层，并在相邻两个STI隔离区底部覆盖所述隔离层，由于隔离层为绝缘体，能够将功能层与硅衬底隔离；隔离层和STI隔离区共同作用，从而在器件之间形成物理隔离，以改善CMOS器件间漏电的情况。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息23条。
来源：金融界
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