镓仁半导体申请氧化镓外延生长方法专利 有效改善氧化镓外延质量
创始人
2025-05-24 20:04:24
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“一种氧化镓的外延生长方法”的专利，公开号CN120033066A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供了一种氧化镓的外延生长方法，属于氧化镓制备技术领域。本发明在氧化镓衬底的表面进行气相外延生长，所述气相外延生长包括依次进行的初始生长和阶梯升温，每次所述阶梯升温的升温范围为50～100℃。本发明初始生长的温度低，有利于提高外延形核质量，通过阶梯升温的方式升高温度，利于外延的2D生长，可以有效改善氧化镓外延质量和表面形貌，减少缺陷和晶界，得到高质量外延层，从而提高器件的性能。
天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本148.0918万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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