上海积塔半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高浅沟槽隔离结构的顶面的平坦度
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2025-05-24 20:04:24
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120033078A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、覆盖于所述衬底的正面上的衬垫层以及沿第一方向贯穿所述衬垫层并延伸至所述衬底内的浅沟槽隔离结构，所所述衬底内具有沿第二方向间隔排布的多个有源区，所述浅沟槽隔离结构位于相邻所述有源区之间；回刻蚀部分的所述浅沟槽隔离结构，形成凹槽，且剩余的所述浅沟槽隔离结构还覆盖所述凹槽的侧壁；去除所述衬垫层和所述凹槽的侧壁上的所述浅沟槽隔离结构，暴露所述有源区的部分侧壁。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1820次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1099条，此外企业还拥有行政许可191个。
来源：金融界
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