芯联越州申请半导体沟槽形貌检测方法专利，提高第一沟槽形貌检测的准确性
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2026-01-29 09:10:21
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国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“半导体沟槽形貌检测方法”的专利，公开号CN121419608A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体沟槽形貌检测方法，包括：提供待测半导体结构，待测半导体结构包括第一导电类型的第一半导体材料层和从第一半导体材料层的上表面延伸至第一半导体材料层内部的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽在同一工序中采用相同的掩膜版图形和相同的刻蚀工艺形成；形成图案化的阻挡层，图案化的阻挡层覆盖第二沟槽的内壁，且暴露第一沟槽的内壁；外延生长第二导电类型的第二半导体材料层，第二半导体材料层沿第一沟槽的内壁生长至填满第一沟槽，第二沟槽的内壁因被图案化的阻挡层覆盖而未生长第二半导体材料层；对第二沟槽的形貌进行检测，根据检测结果确定第一沟槽的形貌。如此可以提高第一沟槽形貌检测的准确性。
天眼查资料显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司，成立于2021年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本398282.0957万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目63次，专利信息152条，此外企业还拥有行政许可26个。
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来源：市场资讯
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