浙江创芯集成电路申请半导体结构及其形成方法专利，提升最终形成的半导体结构的电学性能_电子应用

浙江创芯集成电路申请半导体结构及其形成方法专利，提升最终形成的半导体结构的电学性能

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2025-05-27 08:37:19

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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120048797A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一介质层、缓冲层和第二介质层；在第二介质层、缓冲层和第二介质层内形成若干初始导电通孔；在第二介质层和缓冲层内形成导电沟槽，以及使得初始导电通孔形成导电通孔，导电沟槽暴露出导电通孔；刻蚀缓冲层的速率小于刻蚀第二介质层的速率。通过增设缓冲层且刻蚀缓冲层的速率小于刻蚀第二介质层的速率，在完成导电沟槽底部的刻蚀过程中，通过降低刻蚀速率，以保证导电沟槽底部表面的刻蚀均匀性，进而减小对相邻导电通孔之间的第一介质层的刻蚀损伤，提升若干导电通孔形貌均一性，进而保证各个导电通孔内的形成的导体电阻值趋于一致，以此提升最终形成的半导体结构的电学性能。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目248次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息310条，此外企业还拥有行政许可6个。

来源：金融界

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