国家知识产权局信息显示,杭州芯正微电子有限公司申请一项名为“阱电位异常检测电路及包含该检测电路的阱电位”的专利,公开号CN121762908A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本申请提供一种阱电位异常检测电路及包含该检测电路的阱电位,涉及集成电路中阱电位异常的检测电路技术领域,上述阱电位异常检测电路包括检测器件,检测器件包括MOS管,MOS管的栅端连接第一电路的输出端和异或门的第一输入端,MOS管的漏端连接第一电路的输入端、电阻和异或门的第二输入端。本申请实施例提供的阱电位异常检测电路及包含该检测电路的阱电位,能够通过检测器件直接检测阱电位是否异常,如果异常后,MOS器件的栅极就无法控制器件的开启和断开,寄生器件会导通,导致检测器件漏端电压不变化,最终通过异或门输出判断异常,本发明结构简单,能快速检测异常阱电位的区域,输出异常信号,并为后续采取保护措施给出信号。
天眼查资料显示,杭州芯正微电子有限公司,成立于2016年,位于杭州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2167.29015万人民币。通过天眼查大数据分析,杭州芯正微电子有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目1次,财产线索方面有商标信息8条,专利信息27条,此外企业还拥有行政许可2个。
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来源:市场资讯