格力电子申请沟槽型MOS器件及其制备方法专利，源极包括肖特基金属层
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2026-04-01 21:53:01
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国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“沟槽型MOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN121772277A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，提供了一种沟槽型MOS器件及其制备方法，沟槽型MOS器件包括：衬底之上的第一外延层和多个第二外延层，更靠近第一外延层的第二外延层在第一方向上的宽度小于更远离第一外延层的第二外延层在第一方向上的宽度，第一方向垂直于衬底的厚度方向；屏蔽区，在第一方向上的第一端与多个第二外延层相接且具有台阶结构；第二外延层和屏蔽区上依次叠层设置的载流子存储层、体区和源区；栅极，位于第一沟槽内，其在更远离衬底的横截面的面积大于更靠近衬底的横截面的面积；源极，设置于贯穿载流子存储层、体区和源区的第二沟槽内并与屏蔽区的至少部分侧壁接触设置，源极包括肖特基金属层。
天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目31次，专利信息267条，此外企业还拥有行政许可108个。
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来源：市场资讯
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