中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低沟道凸起部顶部受到损伤的概率_电子应用

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低沟道凸起部顶部受到损伤的概率

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2026-04-02 19:45:11

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121772247A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底；在基底上形成沟道凸起结构，沟道凸起结构包括沟道凸起部以及沟道凸起部上的第一牺牲层；形成横跨沟道凸起结构的伪栅结构，伪栅结构覆盖沟道凸起结构的部分顶部和侧壁；形成伪栅结构后，依次去除伪栅结构以及伪栅结构底部的第一牺牲层，第一牺牲层与沟道凸起部之间的去除选择比，大于伪栅结构与沟道凸起部之间的去除选择比。本发明实施例的第一牺牲层能够在去除伪栅结构的过程中降低沟道凸起部顶部受到损伤的概率；又由于第一牺牲层与沟道凸起部之间的去除选择比，大于伪栅结构与沟道凸起部之间的去除选择比，有利于在去除第一牺牲层的过程中降低沟道凸起部顶部的受损概率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目116次，财产线索方面有商标信息175条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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