中科无线半导体申请基于硅衬底的硅基氮化镓材料外延结构专利，涉及半导体技术领域
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2025-06-11 21:34:55
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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种基于硅衬底的硅基氮化镓材料外延结构”的专利，公开号CN120129274A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明提供一种基于硅衬底的硅基氮化镓材料外延结构，涉及半导体技术领域，包括：包括依次叠层设置的硅衬底、厚度与硅衬底几何形状和硅衬底几何尺寸相关的AlN成核层、缓冲层、GaN功能层和器件层：缓冲层包括阶梯级AlGaN子缓冲层和半绝缘GaN子缓冲层；阶梯级AlGaN子缓冲层包括多个阶梯的AlGaN子缓冲层，每个阶梯的AlGaN子缓冲层的子缓冲层属性均与所属阶梯的热应力约束相关；阶梯级AlGaN子缓冲层和半绝缘GaN子缓冲层分别与AlN成核层和GaN功能层接触；半绝缘GaN子缓冲层具有基于电击穿理论与热应力平衡协同优化的半绝缘GaN子缓冲层厚度。
天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，专利信息46条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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