万国半导体申请沟槽端接结构及其制造方法专利，公开半导体器件及其结构的制造方法
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2025-08-18 21:18:58
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金融界2025年8月18日消息，国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“沟槽端接结构及其制造方法”的专利，公开号CN120500091A，申请日期为2025年01月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其结构的制造方法。该器件包含具有有源区、过渡区和第一端接区的半导体衬底组合物。有源沟槽栅极结构设置在有源区中，第一端接沟槽结构设置在第一端接区中，并通过具有过渡沟槽结构的过渡区与有源沟槽横向隔开。第一端接沟槽结构的第一端接沟槽侧壁绝缘层具有与过渡沟槽结构的过渡沟槽侧壁绝缘层和有源沟槽栅极结构的栅极侧壁绝缘层相似的厚度。

来源：金融界

制造 方法 显示 栅极 沟槽 有源 导体 绝缘层 结构 专利 侧壁 有源区 有源沟槽

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