万国半导体申请沟槽端接结构及其制造方法专利，公开半导体器件及其结构的制造方法
创始人
2025-08-18 21:18:58
0次
金融界2025年8月18日消息，国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“沟槽端接结构及其制造方法”的专利，公开号CN120500091A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其结构的制造方法。该器件包含具有有源区、过渡区和第一端接区的半导体衬底组合物。有源沟槽栅极结构设置在有源区中，第一端接沟槽结构设置在第一端接区中，并通过具有过渡沟槽结构的过渡区与有源沟槽横向隔开。第一端接沟槽结构的第一端接沟槽侧壁绝缘层具有与过渡沟槽结构的过渡沟槽侧壁绝缘层和有源沟槽栅极结构的栅极侧壁绝缘层相似的厚度。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
半导体(512480)获融资买...
8月22日，沪深两融数据显示，半导体(512480)获融资买入额2.67亿元，居两市第91位，当日融...
张家港安储科技取得用于半导体晶...
金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，张家港安储科技有限公司取得一项名为“一种用于...
至微半导体取得清洗喷淋喷嘴的装...
金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，至微半导体（上海）有限公司取得一项名为“一种...
安靠科技申请半导体装置及制造方...
金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“...
杭州捷配申请PCB订单智能拼板...
金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，杭州捷配信息科技有限公司申请一项名为“PCB...
开疆五金取得一种带开关减压阀专...
金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，中山市开疆五金制品有限公司取得一项名为“一种...
源森特取得传感器老化和筛选装置...
金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，苏州源森特科技有限公司取得一项名为“一种传感...
安徽德为半导体取得胎压传感器生...
金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，安徽德为半导体有限公司取得一项名为“一种胎压...
晶振阻抗详解：频率稳定的三个步...
在微控制器、系统级芯片以及通信芯片中，晶振是保证系统稳定运行的核心时钟源。在设计和调试过程中，难免会...
IHW取得控制突触元件中电阻逐...
金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，IHW有限公司取得一项名为“控制突触元件中电...