长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储器系统专利，提供一种半导体结构、制备方法以及存储器系统
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2025-08-19 20:36:54
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金融界2025年8月19日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器系统”的专利，公开号CN120512919A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法以及存储器系统，半导体结构包括：衬底，第一栅介质结构以及第一栅极结构。第一栅介质结构位于衬底的一侧。第一栅极结构位于第一栅介质结构的一侧，并沿第一方向延伸。第一栅介质结构沿第一方向包括：第一介质隔离层、第一高介电常数材料层和第二介质隔离层。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1398次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
来源：金融界
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