光迅科技获得发明专利授权：“一种半导体发光器件的制备方法、DFB外延片及DFB激光器”
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2026-06-20 09:17:20
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示光迅科技（002281）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体发光器件的制备方法、DFB外延片及DFB激光器”，专利申请号为CN202111371288.X，授权日为2026年6月19日。
专利摘要：本申请实施例提供了一种半导体发光器件的制备方法、DFB外延片及DFB激光器，所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成缓冲层、光栅层和波导堆叠层；沿堆叠方向对所述波导堆叠层进行刻蚀，以在所述波导堆叠层相对的两侧形成对接界面，且所述波导堆叠层两侧的对接界面呈镜像对称；在所述对接界面处外延形成波导材料层。本申请实施例提供的半导体发光器件的制备方法中，通过在波导堆叠层相对的两侧形成对接界面后，在对接界面处外延形成波导材料层，以提高半导体发光器件的COD阈值，进而提高半导体发光器件的可靠性。
今年以来光迅科技新获得专利授权76个，较去年同期增加了171.43%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了10.39亿元，同比增45.75%。
通过天眼查大数据分析，武汉光迅科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目2488次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息1915条，著作权信息130条；此外企业还拥有行政许可107个。
数据来源：天眼查APP
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