晶合集成获得发明专利授权：“双栅MOS结构及其制备方法”
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2025-08-20 06:07:05
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“双栅MOS结构及其制备方法”，专利申请号为CN202510397428.2，授权日为2025年8月19日。
专利摘要：本申请涉及半导体制备工艺技术领域，提供了一种双栅MOS结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供基底；所述基底包括衬底初体和浅沟槽隔离结构；其中，所述衬底初体包括被所述浅沟槽隔离结构定义的有源区；所述有源区表面形成有下凹孔；在所述下凹孔内填充形成第一栅极结构初体，并在所述有源区表面上形成位于所述第一栅极结构初体与浅沟槽隔离结构之间的第二栅极结构；以垂直于有源区排布方向的平面作为切割面，对所述第一栅极结构初体和所述衬底初体进行切割，得到所述双栅MOS结构的衬底、第一栅极结构和第二栅极结构；其中，所述第一栅极结构与所述衬底的接触面为非平面。如此，能够在不额外占用晶圆面积的情况下，改善短沟道效应问题。
今年以来晶合集成新获得专利授权244个，较去年同期增加了15.09%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。
通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1219条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。
数据来源：天眼查APP
以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。
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