艾恩半导体申请离子注入角度校准方法及装置专利，保证角度监测以及校准的准确性和可靠性
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2025-08-24 00:03:10
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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，艾恩（山东）半导体科技有限公司申请一项名为“一种离子注入角度校准方法及装置”的专利，公开号CN120527225A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，一种离子注入角度校准方法及装置，涉及离子注入技术领域，包括以下步骤：S1：将治具放置到任一片库的任意晶圆槽内；S2：控制片库开启自动建立真空模式；S3：控制机械手将治具在晶圆槽移动至定向台，控制定向台按照预设角度旋转，对治具进行定向；S4：控制机械手将治具自定向台移动至靶台；若治具中的指针偏于零刻度线的角度超过M，则执行步骤S5；S5：控制定向台在预设角度的基础上旋转一个补充角度，重复步骤S1‑S4，完成离子注入角度的校准。无需进行复杂的结果拟合和分析，方便快捷且容易实施，能够有效降低角度监测以及校准的成本，相对与四点探针法可以避免退火过程中对测试结果的影响，保证了角度监测以及校准的准确性和可靠性。
天眼查资料显示，艾恩（山东）半导体科技有限公司，成立于2023年，位于济南市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3500万人民币。通过天眼查大数据分析，艾恩（山东）半导体科技有限公司参与招投标项目2次，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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