TCL华星申请薄膜晶体管及阵列基板专利，提高薄膜晶体管的电流特性
创始人
2025-11-27 11:21:10
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国家知识产权局信息显示，TCL华星光电技术有限公司申请一项名为“薄膜晶体管及阵列基板”的专利，公开号CN 121013381 A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本发明公开了一种薄膜晶体管及阵列基板，薄膜晶体管包括基板以及设置于基板一侧的栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极，栅极绝缘层位于栅极和半导体层之间，半导体层包括对应于源极和漏极之间的间隙区域的沟道部；薄膜晶体管还包括导电层，导电层设置于半导体层和栅极绝缘层之间，导电层至少包括第一导电部，第一导电部在基板上的正投影位于沟道部在基板上的正投影内，且与沟道部在基板上的正投影未完全重叠，使得半导体层的前沟道长度缩窄，有利于降低半导体层的沟道部电阻，从而增加了薄膜晶体管的开态电流，提高了薄膜晶体管的电流特性。
天眼查资料显示，TCL华星光电技术有限公司，成立于2009年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3308123.474578万人民币。通过天眼查大数据分析，TCL华星光电技术有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目215次，财产线索方面有商标信息322条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可318个。
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来源：市场资讯
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