北京集成电路装备创新中心申请半导体工艺腔室钝化方法专利，提高腔室内壁面钝化效率
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2025-12-27 16:07:39
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国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“一种半导体工艺腔室的钝化方法”的专利，公开号CN121204632A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体工艺腔室的钝化方法，包括：第一沉积步：硅烷气体和氮源气体气氛下，采用化学气相沉积工艺，在腔室的内壁面沉积第一氮化硅层；第二沉积步：卤代硅烷气体和氮源气体气氛下，采用原子层沉积工艺，例如，该原子层沉积工艺可以为等离子体原子层沉积工艺，在第一氮化硅层沉积第二氮化硅层。以该工艺腔室为等离子体工艺设备的腔室为例，本发明提供的一种半导体工艺腔室的钝化方法，通过采用化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺分步沉积氮化硅层，与只采用等离子体原子层沉积工艺相比，可以有效缩短氮化硅层的沉积时间，提高了腔室的内壁面的钝化效率，从而提高了工艺腔室对半导体的加工效率。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息76条，此外企业还拥有行政许可6个。
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来源：市场资讯
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