半导体废气怎么处理｜半导体废气如何处理
创始人
2025-12-30 07:07:57
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案例：某化合物半导体厂特殊气体处理项目
项目背景
该项目为某中外合资的GaAs（砷化镓）半导体制造厂，主要生产射频器件和光电器件。由于使用砷、磷等有毒物质，废气处理系统面临特殊挑战。
废气成分及来源
主要废气包括：
MOCVD工序：AsH₃（砷化氢）、PH₃（磷化氢）、NH₃等
离子注入工序：BF₃、PF₅等氟化物气体
其他工序：少量的H₂Se、SiH₂Cl₂等
废气特点是毒性大、浓度低但危害严重，总风量约15,000m³/h。
处理工艺流程
针对剧毒气体的特殊性，采用了"预氧化+湿式洗涤+深度处理"的工艺路线：
预氧化系统
：
设置臭氧注入装置，将AsH₃、PH₃等预氧化
反应停留时间>3秒
一级洗涤塔
：
酸性洗涤塔，使用5%次氯酸钠溶液
氧化还原电位(ORP)控制在800-1000mV
去除As、P等元素的主要部分
二级洗涤塔
：
碱洗塔，使用10%NaOH溶液
去除酸性气体和剩余的有害物质
深度处理系统
：
配置专用催化剂反应器，确保As、P等完全转化
催化剂寿命2年，定期更换
废水处理系统
：
洗涤废水单独收集处理
采用化学沉淀法去除As、P等重金属
出水达到《污水综合排放标准》一级标准
最终效果
经过6个月的调试和优化，系统达到以下效果：
AsH₃排放浓度<0.002mg/m³
PH₃排放浓度<0.005mg/m³
NH₃排放浓度<5mg/m³
总砷去除率>99.99%
系统运行稳定，无二次污染产生
废水中的砷含量<0.1mg/L，远严于排放标准
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