新紫光半导体申请透射电镜试片处理方法专利，使多层之间的界限更明显
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2026-03-10 19:16:47
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国家知识产权局信息显示，成都新紫光半导体科技有限公司申请一项名为“透射电镜试片的处理方法和透射电镜试片”的专利，公开号CN121633149A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本公开涉及一种透射电镜试片的处理方法和透射电镜试片，透射电镜试片包括多个间隔设置的孔洞，孔洞的内壁设置有包括多层结构的扩散阻挡层，处理方法包括：对扩散阻挡层的表面设置有第一保护层；在孔洞中划分保留区，且保留区中划分相对设置的第一边缘线和第二边缘线，其中，保留区包括位于孔洞的边缘的两个弧形段，第一边缘线和第二边缘线连接在两个弧形段之间；从保留区的外侧切割透射电镜试片直至第一边缘线；从保留区的外侧切割透射电镜试片直至第二边缘线；除去第一保护层的剩余部分。这样，可以将孔洞的截面露出，观察孔洞内壁表面的扩散阻挡层的分层，使多层之间的界限更明显，更容易检查扩散阻挡层的涂覆情况，判断是否有漏涂现象。
天眼查资料显示，成都新紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都新紫光半导体科技有限公司专利信息62条。
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来源：市场资讯
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