中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的开关电流比_电子百科

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的开关电流比

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2026-05-14 04:19:25

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122028490A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成多个堆叠结构，所述堆叠结构包括：位于所述基底上的第一沟道结构和位于所述第一沟道结构上的第二沟道结构；在所述堆叠结构结构之间的基底上填充第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层覆盖所述第一沟道结构的侧面；在所述第一源漏掺杂层上形成第一介电层；在所述第一介电层上填充第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层覆盖所述第二沟道结构的侧面。采用上述技术方案，能够通过第一介电层实现第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层间电气隔离，降低第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层间的漏电流，以及提高半导体结构的开关电流比，从而能够优化半导体结构的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目119次，财产线索方面有商标信息221条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可480个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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