铠侠申请半导体装置的制造方法及半导体装置专利，能够更适当地单片化
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2026-05-14 04:19:58
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置的制造方法及半导体装置”的专利，公开号CN122028665A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，其能够更适当地单片化。本实施方式的半导体装置的制造方法具备以下步骤：于半导体晶圆之第1面形成第1槽与第2槽，第1槽与第2槽沿具有第1面及处于第1面的相反侧的第2面的半导体晶圆的切割区域延伸且并排配置。另外，本制造方法具备以下步骤：从半导体晶圆的第2面侧，向自上方观察时的第1槽与第2槽之间照射第1激光，藉此沿着切割区域在半导体晶圆内形成改质部。另外，本制造方法具备以下步骤：通过劈开半导体晶圆，而将半导体晶圆单片化为多个半导体芯片。
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