卓胜微取得半导体结构及射频器件专利，提升器件可靠性
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2026-06-20 01:23:03
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国家知识产权局信息显示，江苏卓胜微电子股份有限公司取得一项名为“半导体结构、射频半导体器件”的专利，授权公告号CN224386015U，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构、射频半导体器件，包括：基底；形成于所述基底上的异质结半导体层；覆盖所述异质结半导体层的至少两层堆叠钝化层，包括第一堆叠钝化层和第二堆叠钝化层，所述第二堆叠钝化层位于所述第一堆叠钝化层背离所述基底一侧；其中，所述第一堆叠钝化层和所述第二堆叠钝化层均由无机钝化层与有机钝化层交替堆叠形成，且所述第二堆叠钝化层的厚度大于所述第一堆叠钝化层的厚度。通过设置至少两层由无机钝化层与有机钝化层交替堆叠形成的堆叠钝化层覆盖异质结半导体层，且将更靠近外部环境的第二堆叠钝化层的厚度设置较厚，既降低了器件的寄生电容以改善高频性能，又能更为有效地阻挡外部环境中的水汽，提升器件可靠性。
天眼查资料显示，江苏卓胜微电子股份有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本53494.3198万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏卓胜微电子股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目75次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息322条，此外企业还拥有行政许可43个。
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来源：市场资讯
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