鲁汶仪器申请半导体结构中空气气隙制备方法专利，实现空气气隙的原位控制
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2026-06-20 01:23:07
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国家知识产权局信息显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构中空气气隙的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN122249036A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构中空气气隙的制备方法及半导体结构，该方法包括：S1：将半导体衬底置于离子束沉积设备的腔室中，半导体衬底具有至少一个沟槽；S2：调整半导体衬底至第一角度，利用第一离子束产生装置输出的第一离子束，轰击靶材，产生溅射粒子，在沟槽顶部以及侧壁的部分区域沉积第一膜层；S3：调整半导体衬底至第二角度，利用第二离子束产生装置输出第二离子束，对第一膜层的第一区域进行刻蚀，去除第一膜层的第一区域；重复S2和S3，直至在沟槽内形成满足预设条件的空气气隙。该方法可通过控制沟槽顶部和侧壁部分沉积第一膜层时的角度，控制沟槽中形成的空气气隙的体积和深度，实现空气气隙的原位控制。
天眼查资料显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司，成立于2015年，位于徐州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本19584.6238万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏鲁汶仪器股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目269次，财产线索方面有商标信息36条，专利信息519条，此外企业还拥有行政许可14个。
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来源：市场资讯
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