格科半导体申请形成强化对位标记方法及 MIM 电容器专利，提高对准精度
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2025-06-03 14:36:35
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种形成强化对位标记的方法以及 MIM 电容器”的专利，公开号 CN120089661A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种形成强化对位标记的方法以及一种 MIM 电容器，包括：形成第一对位标记；在所述第一对位标记上方形成第二对位标记；其中，所述第二对位标记用于位于所述第二对位标记上方的功能层的图形化光刻对准，提高对准精度。本发明的一种 MIM 电容器包括前述方法形成的强化对位标记。本发明的 MIM 电容器的功能层图形化光刻对准时，对位标记上方不存在厚介电层，对位标记形貌更清晰，对准精度更高；且本发明的制备方法有效减少了制备工序与时间，并减小了芯片高度，降低了器件制作成本。

来源：金融界

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