上海积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利，减少因应力过大导致的介质层开裂问题
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2025-06-27 16:39:18
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金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120221504A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制备方法，通过两次光刻和阻挡层的沉积，将氮化硅层完全包覆，有效缓解氮化硅层和金属材料间的应力差异，减少因应力过大导致的介质层开裂问题；具有阻挡层的半导体结构可以避免在测试过程中氮化硅层中氢元素的析出，从而提高半导体结构信号传递和能量传输的稳定性和可靠性。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司参与招投标项目1836次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1177条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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