驰拓科技申请MTJ结构以及磁性随机存储器专利，提供一种特定结构的MTJ及磁性随机存储器_电子百科

驰拓科技申请MTJ结构以及磁性随机存储器专利，提供一种特定结构的MTJ及磁性随机存储器

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2025-07-04 18:38:36

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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“MTJ结构以及磁性随机存储器”的专利，公开号CN120265104A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本申请提供了一种MTJ结构以及磁性随机存储器，该MTJ结构包括：第一耦合结构，包括第一PMA材料层以及位于第一PMA材料层上的第一参考层，第一PMA材料层与第一参考层耦合且耦合方式为铁磁性耦合与反铁磁性耦合中之一；第二耦合结构，包括第二PMA材料层和第二参考层，第二参考层位于第一参考层远离第一PMA材料层的一侧，第二PMA材料层位于第二参考层远离第一参考层的表面上，第二PMA材料层与第二参考层耦合且耦合方式为铁磁性耦合与反铁磁性耦合中的另一个；势垒层，位于第一参考层和第二参考层之间；自由层，位于势垒层与第二参考层之间；间隔层，位于自由层与第二参考层之间。

天眼查资料显示，浙江驰拓科技有限公司，成立于2016年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本17714.088889万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目95次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息435条，此外企业还拥有行政许可7个。

来源：金融界

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