伊诺菲申请可变电阻式存储器及其制备方法、电子设备专利，有效提高制备得到的可变电阻式存储器的数据读写速率_电子百科

伊诺菲申请可变电阻式存储器及其制备方法、电子设备专利，有效提高制备得到的可变电阻式存储器的数据读写速率

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2025-07-04 18:38:36

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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，伊诺菲（苏州）科技有限公司申请一项名为“可变电阻式存储器及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN120265114A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体器件制备领域，提供一种可变电阻式存储器及其制备方法、电子设备，方法包括：在晶圆基底上沉积底电极层，晶圆基底为互补金属氧化物半导体结构；在底电极层上沉积阻变层，阻变层的材质包括钪、钛、锶、钇、镧以及钡中的任意一种或多种，以及氮化铝；在阻变层上沉积顶电极层，在顶电极层上沉积硬掩模层；基于硬掩模层，对阻变层和底电极层进行离子束刻蚀；在离子束刻蚀形成的凹槽中填充电介质层后，制备得到可变电阻式存储器。用以解决相关技术中常用的可变电阻式存储器数据读写速率较慢的缺陷，本申请的方案中通过使用氮化铝制备可变电阻式存储器，可以有效提高制备得到的可变电阻式存储器的数据读写速率。

天眼查资料显示，伊诺菲（苏州）科技有限公司，成立于2024年，位于苏州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本50万人民币。通过天眼查大数据分析，伊诺菲（苏州）科技有限公司专利信息3条。

来源：金融界

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