长鑫芯瑞申请一种半导体结构及其制作方法专利，有利于解决阈值电压不稳定的问题
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2025-07-09 12:39:22
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN120282450A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括基底，以及位于基底上的有源柱、字线和位线，多个有源柱沿第二方向和第三方向阵列设置，多条字线沿第三方向阵列设置，每条字线沿第二方向延伸，多条位线沿第二方向阵列设置，每条位线沿第三方向延伸。字线与有源柱的垂直沟道的接触区域的至少部分接触面与第二方向不平行，从而形成非完全耗尽型沟道，有利于解决阈值电压不稳定的问题。另外，当字线和位线都部分包围有源柱时，能够增加相邻字线以及相邻位线之间的距离，有利于降低耦合效应。
天眼查资料显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司专利信息11条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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