证券之星消息,根据天眼查APP数据显示中微半导(688380)新获得一项发明专利授权,专利名为“带隙基准电压源”,专利申请号为CN202210231882.7,授权日为2025年7月15日。
专利摘要:本发明提供带隙基准电压源,所述电压源包括:带隙基准主体电路和带隙基准启动瞬态增强电路,所述带隙基准启动瞬态增强电路包括电压复制模块、负反馈环路模块、逻辑翻转模块和开关电流源模块;所述电压复制模块用于根据所述带隙基准主体电路的第一输出端输出的镜像电流,得到带隙基准驱动电压;所述负反馈环路模块用于对所述带隙基准驱动电压进行稳压;所述开关电流源模块用于根据所述逻辑控制信号进行导通或截止,从而控制对所述带隙基准主体电路的第二输出端的充电状态;解决了现有技术中输出端的负载电容对带隙基准电压源开启速度产生影响的问题,实现对带隙基准电压源输出电压开启的瞬态增强,能够大幅降低输出电压达到稳定值的时间。
今年以来中微半导新获得专利授权2个,较去年同期增加了100%。结合公司2024年年报财务数据,2024年公司在研发方面投入了1.28亿元,同比增5.87%。
通过天眼查大数据分析,中微半导体(深圳)股份有限公司共对外投资了10家企业,参与招投标项目74次;财产线索方面有商标信息11条,专利信息56条,著作权信息26条;此外企业还拥有行政许可12个。
数据来源:天眼查APP
以上内容为证券之星据公开信息整理,由AI算法生成(网信算备310104345710301240019号),不构成投资建议。