杭州富芯半导体取得离子源装置及其控制方法相关专利
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2025-07-15 08:38:46
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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司取得一项名为“离子源装置及其控制方法、离子注入设备和存储介质”的专利，授权公告号CN115810528B，申请日期为2022年12月。
天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息282条，此外企业还拥有行政许可17个。
来源：金融界
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